หมวดหมู่ทั้งหมด
สินค้าเด่นที่ผ่านการคัดสรร
    Trade Assurance
    ศูนย์รวมผู้ซื้อ
    ศูนย์ช่วยเหลือ
      รับแอป
      กลายเป็นซัพพลายเออร์

      ชิป MOSFET พลังงาน N-Channel 60V Bair Die เพื่อ SMPS ประสิทธิภาพสูง

      ยังไม่มีรีวิว
      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN
      วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม

      คุณสมบัติที่สำคัญ

      ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก

      หมายเลขรุ่น
      AKSW02N06T01
      ชนิด
      แผ่นมอสเฟทเวเฟอร์
      ชื่อแบรนด์
      Aiko
      ประเภทแพคเกจ
      ดายเปลือย

      คุณลักษณะอื่น ๆ

      ประเภทการติดตั้ง
      แทรก
      ลักษณะ
      N-Channel, หิมะถล่ม100% ทดสอบ, PB-ชุบตะกั่ว, มาตรฐาน RoHS, ขนาดแม่พิมพ์โดยไม่มีเส้นอาลักษณ์60um
      สถานที่กำเนิด
      China
      แพคเกจ/กรณี
      ดายเปลือย
      ชนิด
      แผ่นมอสเฟทเวเฟอร์
      อุณหภูมิในการทำงาน
      -40 ℃ ~ + 175 ℃
      ใบสมัคร
      การสลับอย่างหนักและวงจรความเร็วสูง
      ประเภทผู้ผลิต
      ODM
      Media ม
      เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
      品名
      แผ่นเวเฟอร์มอสโก
      Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
      110A
      แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
      66โวลต์
      อุณหภูมิในการทำงาน
      -40℃~+175℃
      ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
      60V
      Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
      110A
      Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
      3.0Miohm
      VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
      2.4V
      การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
      110A
      แรงดันไฟฟ้า
      60V
      VGS (MAX)
      2.4V
      ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
      2720pF
      แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
      66โวลต์
      Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      0.38uA
      ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
      110A
      แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
      10V
      ความต้านทาน-RDS (On)
      <2ไมล์
      แรงดันไฟฟ้า
      60V
      Current-Peak
      110A
      การประยุกต์ใช้
      การสลับอย่างหนักและวงจรความเร็วสูง
      ประเภททรานซิสเตอร์
      แผ่นมอสเฟทเวเฟอร์
      ขนาดเวเฟอร์
      12นิ้ว
      ความหนาของเวเฟอร์
      4.3mil
      Gross Die
      5061
      สายอาลักษณ์
      60um
      V(BR)DSS
      66โวลต์
      VGS (TH)
      1.52V
      ไอจีเอสเอส
      4.6 ± 100nA
      แอปพลิเคชัน1
      ประสิทธิภาพสูง SMPS
      แอปพลิเคชัน2
      การสลับอย่างหนักและวงจรความเร็วสูง
      แอปพลิเคชัน3
      ตัวแปลง DC/DC

      บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

      รายละเอียดบรรจุภัณฑ์
      โฟมพาเลทิกส์/ถุงป้องกันไฟฟ้าสถิตย์/กล่อง
      แสดงเพิ่มเติม

      ระยะเวลารอสินค้า

      จำนวน (ชิ้น )1 - 100101 - 1000 > 1000
      ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)2030รอการต่อรอง

      การปรับตามความต้องการ

      Customized logo
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1000
      Customized packaging
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1000
      Graphic customization
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1000
      สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์

      คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

      5 - 999 ชิ้น
      JP¥18,939
      >= 1000 ชิ้น
      JP¥11,048

      รูปแบบ

      ตัวเลือกทั้งหมด :
      เลือกเลย

      การจัดส่ง

      โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

      สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

      คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม

      ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

      การชำระเงินที่ปลอดภัย

      ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

      นโยบายการคืนเงิน

      ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
      Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย