หมวดหมู่ทั้งหมด
สินค้าเด่นที่ผ่านการคัดสรร
    Trade Assurance
    ศูนย์รวมผู้ซื้อ
    ศูนย์ช่วยเหลือ
      รับแอป
      กลายเป็นซัพพลายเออร์

      ใหม่และเป็นต้นฉบับ N-Channel Mosfet IPW60R190P6การพิมพ์สกรีน6R190P6 IPW60R190P6FKSA1 247

      ยังไม่มีรีวิว4 คำสั่งซื้อ
      Shenzhen Hongfang Micro Electronics Co., Ltd.4 yrsCN
      วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม

      คุณสมบัติที่สำคัญ

      ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก

      หมายเลขรุ่น
      IPW60R190P6FKSA1
      ชนิด
      MOSFET
      ชื่อแบรนด์
      Original
      ประเภทแพคเกจ
      throught หลุม

      คุณลักษณะอื่น ๆ

      ประเภทการติดตั้ง
      เพื่อ-247
      ลักษณะ
      มอสเฟทถึง-247 600V 20.2A
      สถานที่กำเนิด
      USA
      แพคเกจ/กรณี
      เพื่อ-247
      ชนิด
      -
      อุณหภูมิในการทำงาน
      -
      Series
      -
      D/c
      ใหม่และดั้งเดิม
      ใบสมัคร
      -
      ประเภทผู้ผลิต
      ผู้ผลิตเดิม
      อ้างอิง
      -
      Media ม
      เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
      品名
      มอสเฟท
      Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
      -
      แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
      -
      VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
      -
      Current-Collector CUTOFF (MAX)
      -
      DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
      -
      Power-MAX
      62W
      ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
      -
      อุณหภูมิในการทำงาน
      ~ 150 °C 55 °C
      ประเภทการติดตั้ง
      Through Hole
      ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
      -
      ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
      -
      FET ประเภท
      N-CH
      FET คุณลักษณะ
      -
      ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
      600V
      Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
      12.7A
      Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
      -
      VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
      -
      ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
      -
      ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
      -
      ความถี่
      -
      การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
      -
      รูปเสียงรบกวน
      -
      Power-เอาต์พุต
      -
      แรงดันไฟฟ้า
      -
      ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
      -
      VGS (MAX)
      -
      IGBT ประเภท
      -
      การกำหนดค่า
      -
      VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
      -
      ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
      -
      อินพุต
      -
      NTC Thermistor
      -
      แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
      -
      Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
      -
      แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
      -
      ความต้านทาน-RDS (On)
      -
      แรงดันไฟฟ้า
      -
      แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
      -
      แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
      -
      Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
      -
      Current-Valley (IV)
      -
      Current-Peak
      -
      การประยุกต์ใช้
      -
      ประเภททรานซิสเตอร์
      -

      บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

      รายละเอียดบรรจุภัณฑ์
      คุณภาพการบริการบริการที่มีความสำคัญ
      ท่าเรือ
      SHENZHEN OR HK

      ความสามารถในการจัดหา

      ความสามารถในการจัดหา
      99999 ชิ้น / ชิ้น per Day
      แสดงเพิ่มเติม

      ระยะเวลารอสินค้า

      จำนวน (ชิ้น )1 - 200000 > 200000
      ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)5รอการต่อรอง

      การปรับตามความต้องการ

      Customized logo
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 10
      สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์

      คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

      >= 10 ชิ้น
      US$1.00

      รูปแบบ

      ตัวเลือกทั้งหมด :
      เลือกเลย

      การจัดส่ง

      โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

      สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

      คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม

      ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

      การชำระเงินที่ปลอดภัย

      ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

      นโยบายการคืนเงิน

      ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
      Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย