หมวดหมู่ทั้งหมด
สินค้าเด่นที่ผ่านการคัดสรร
Trade Assurance
ศูนย์รวมผู้ซื้อ
ศูนย์ช่วยเหลือ
รับแอป
กลายเป็นซัพพลายเออร์

QZ HY1908 80V 90A โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel MOSFET TO-252 HY1908D

ยังไม่มีรีวิว
Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.ผู้จัดจำหน่ายที่มีความเชี่ยวชาญหลายแขนง6 yrsCN

คุณสมบัติที่สำคัญ

ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก

หมายเลขรุ่น
HY1908D
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
Original brand
ประเภทแพคเกจ
Surface Mount

คุณลักษณะอื่น ๆ

สถานที่กำเนิด
Original
แพคเกจ/กรณี
TO-252
D/c
ใหม่ล่าสุด (สุ่มเมื่อจัดส่ง)
品名
N-Channel Enhancement โหมด MOSFET
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃-175 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
FET ประเภท
N-Channel
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
80V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
90A
ลักษณะ
N-Channel Enhancement โหมด MOSFET
ท่อระบายน้ำ-แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
80V
Power (PD)
64W
-ความต้านทาน (RDS(on)@ Vgs,Id)
9mΩ 45A, 10V
เกณฑ์แรงดันไฟฟ้า (VGS (TH) @ Id)
4V 250μA
ประเภท
N-Channel
ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ current (ID)
90A
MPQ
2500PCS/REEL
เวลานำ
1-3วันทำการ

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

หน่วยขาย:
รายการเดียว
ขนาดบรรจุภัณฑ์เดียว:
23X14X4 ซม.
น้ำหนักเบื้องต้นเดียว:
0.003 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

จำนวน (ชิ้น )1 - 500501 - 3000 > 3000
ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)45รอการต่อรอง

การปรับตามความต้องการ

Customized packaging
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 10000

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

10 - 99 ชิ้น
US$0.69
100 - 499 ชิ้น
US$0.65
500 - 999 ชิ้น
US$0.62
>= 1000 ชิ้น
US$0.58

จำนวน

การจัดส่ง

รายการทั้งหมด (0 รูปแบบ 0 รายการ)
$0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
$0.00
ยอดรวมย่อย
$0.00

สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

คูปองมูลค่า US$500 จำนวน 6 ใบ ดูเพิ่มเติม

ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

นโยบายการคืนเงิน & Easy Return

ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์ พร้อมคืนสินค้าในพื้นที่ฟรีเมื่อมีข้อบกพร่อง