หมวดหมู่ทั้งหมด
สินค้าเด่นที่ผ่านการคัดสรร
    Trade Assurance
    ศูนย์รวมผู้ซื้อ
    ศูนย์ช่วยเหลือ
      รับแอป
      กลายเป็นซัพพลายเออร์

      Rand ใหม่ของแท้อิเล็กทรอนิกส์ชิ้นส่วน MJE15034G/MJE15035G และ NPN & PNP อุปกรณ์สำหรับ BJT

      ยังไม่มีรีวิว
      Shenzhen Zhaoyongsheng Technology Co., Ltd.3 yrsCN

      คุณสมบัติที่สำคัญ

      ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก

      หมายเลขรุ่น
      MJE15034G/MJE15035G

      ชนิด
      MOSFET

      ชื่อแบรนด์
      ON

      ประเภทแพคเกจ
      TO-220

      คุณลักษณะอื่น ๆ

      สถานที่กำเนิด
      Guangdong, China

      แพคเกจ/กรณี
      /

      D/c
      2021

      ประเภทผู้ผลิต
      Other

      Media ม
      Other

      品名
      BUK7Y15-60E

      Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
      /

      แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
      /

      VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
      /

      Current-Collector CUTOFF (MAX)
      /

      DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
      /

      Power-MAX
      /

      ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
      /

      อุณหภูมิในการทำงาน
      /

      ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
      /

      ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
      /

      FET ประเภท
      /

      ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
      /

      Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
      /

      Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
      /

      VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
      /

      ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
      /

      ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
      /

      ความถี่
      /

      การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
      /

      รูปเสียงรบกวน
      /

      Power-เอาต์พุต
      /

      แรงดันไฟฟ้า
      /

      ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
      /

      VGS (MAX)
      /

      IGBT ประเภท
      /

      VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
      /

      ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
      /

      อินพุต
      /

      NTC Thermistor
      /

      แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
      /

      Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      /

      ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
      /

      แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
      /

      ความต้านทาน-RDS (On)
      /

      แรงดันไฟฟ้า
      /

      แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
      /

      แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
      /

      Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
      /

      Current-Valley (IV)
      /

      Current-Peak
      /

      การประยุกต์ใช้
      /

      Material
      silicon

      Type
      MJE15034G/MJE15035G

      บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

      ท่าเรือ
      Shenzhen

      แสดงเพิ่มเติม

      ระยะเวลารอสินค้า

      จำนวน (ชิ้น )1 - 50 > 50
      ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)15รอการต่อรอง

      การปรับตามความต้องการ

      Customized packaging
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 5000
      สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์

      รู้จักซัพพลายเออร์ของคุณ

      Shenzhen Zhaoyongsheng Technology Co., Ltd.
      3 yrsตั้งอยู่ใน CN
      ดูผลิตภัณฑ์อื่น ๆดูโปรไฟล์

      คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

      >= 50 ชิ้น
      US$2.50

      รูปแบบ

      ตัวเลือกทั้งหมด :
      เลือกเลย

      การจัดส่ง

      โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

      สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

      คืนเงินอย่างรวดเร็วสำหรับคำสั่งซื้อที่มีมูลค่าต่ำกว่า 1,000 USDรับเลย

      รายละเอียดการสั่งซื้อ
      ปกป้องด้วย

      การชำระเงินที่ปลอดภัย

      ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

      นโยบายการคืนเงิน

      ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
      รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย