วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม
STGW60H65DFB ไอจีบีที 650V 80A 375W TO-247 GW60H65DFB
ยังไม่มีรีวิว
คุณสมบัติที่สำคัญ
ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก
หมายเลขรุ่น
STGW60H65DFB
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
คุณลักษณะอื่น ๆ
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์
สถานที่กำเนิด
California, United States
แพคเกจ/กรณี
เพื่อ-220-3
ประเภท
ทรานซิสเตอร์ไตรโอด
หมายเลขชิ้นส่วน
STGW60H65DFB
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE, IC
2V @ 15V 60A
พาวเวอร์-แมกซ์
375W
สลับพลังงาน
1.09mJ (เปิด), 626uJ (ปิด)
ประเภทอินพุต
มาตรฐาน
ค่าประตู
306nC
TD (เปิด/ปิด) @ 25 °C
51ns/160ns
เงื่อนไขการทดสอบ
400V, 60A, 5โอห์ม, 15V
เวลาในการกู้คืนย้อนกลับ (TRR)
60ns
ระยะเวลารอสินค้า
| จำนวน (ชิ้น ) | 1 - 10000 | > 10000 |
| ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน) | 5 | รอการต่อรอง |
การปรับตามความต้องการ
Customized packaging
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 99999
สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
100 - 499 ชิ้น
CN¥7.18
500 - 999 ชิ้น
CN¥6.45
>= 1000 ชิ้น
CN¥6.16
จำนวน
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้รายการทั้งหมด (0 รูปแบบ 0 รายการ)
$0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
$0.00
ยอดรวมย่อย
$0.00
สิทธิประโยชน์ของสมาชิก
คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
การชำระเงินที่ปลอดภัย![]()
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นโยบายการคืนเงิน![]()
ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย