ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ลักษณะ
FGH60N60SFTU Transistors
ชนิด
Discrete Semiconductor Products
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
120A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
600V
Current-Collector CUTOFF (MAX)
180A
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
1.79mJ (on) 670uJ (off)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
2.9V @ 15V, 60A
Switching Energy
1.79mJ (on), 670uJ (off)
Td (on/off) @ 25℃
22ns/134ns
Test Condition
400V, 60A, 5Ohm, 15V