วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม
60N60 FGH60N60 IKFW60N60 IXGH60N60 NGTB60N60 IGBT Transistor Single 120A 600V 378W DIP FGH60N60SFTU
ยังไม่มีรีวิว
คุณสมบัติที่สำคัญ
ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก
หมายเลขรุ่น
FGH60N60SFTU
ชนิด
IGBT ทรานซิสเตอร์
ชื่อแบรนด์
Original
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
คุณลักษณะอื่น ๆ
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ลักษณะ
FGH60N60SFTU Transistors
สถานที่กำเนิด
Original
แพคเกจ/กรณี
TO-247-3
ชนิด
Discrete Semiconductor Products
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
Transistors
D/c
New
ประเภทผู้ผลิต
Other
Media ม
Other
品名
FGH60N60SFTU
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
120 A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
600 V
Current-Collector CUTOFF (MAX)
180A
Power-MAX
378W
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
1.79mJ (on) 670uJ (off)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
Brand
Original
Stocking time
3-5day
delivery address
shenzhen
ระยะเวลารอสินค้า
| จำนวน (ชิ้น ) | 1 - 10 | > 10 |
| ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน) | 15 | รอการต่อรอง |
การปรับตามความต้องการ
PCBA
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1
SMT
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1
PCB
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1
BOM
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1
สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
>= 1 ชิ้น
US$0.10
สิทธิประโยชน์ของสมาชิก
แจกคูปองฟรีสามวัน : ส่วนลดสูงสุด 80 USDดูเพิ่มเติม
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
การชำระเงินที่ปลอดภัย![]()
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นโยบายการคืนเงิน![]()
ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย