ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ลักษณะ
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
อุณหภูมิในการทำงาน
-40~170℃
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
N/A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
N/A
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
N/A
Current-Collector CUTOFF (MAX)
N/A
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
N/A
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
N/A
อุณหภูมิในการทำงาน
-55~170℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
N/A
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
30 V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
9.7A (Ta)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
N/A
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
N/A
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
N/A
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
N/A
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
N/A
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
4.5V, 10V
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
N/A
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
N/A
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
N/A
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
N/A
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
N/A
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
N/A
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
N/A