ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ลักษณะ
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223
แพคเกจ/กรณี
TO-261-4 TO-261AA
อุณหภูมิในการทำงาน
-65°C ~ 150°C (TJ)
ใบสมัคร
วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต
ตัวแทนจำหน่าย
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
1 A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
80 V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
1.3V @ 500uA500mA
Current-Collector CUTOFF (MAX)
10uA
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
2000 @ 500mA10V
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
same as original
อุณหภูมิในการทำงาน
-65°C ~ 150°C(TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
original standard
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
same as original
FET คุณลักษณะ
original standard
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
same as original
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
original standard
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
same as original
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
original standard
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
same as original
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
original standard
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
original standard
รูปเสียงรบกวน
same as original
แรงดันไฟฟ้า
same as original
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
original standard
VGS (MAX)
same as original
IGBT ประเภท
original standard
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
original standard
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
same as original
NTC Thermistor
same as original
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
original standard
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
same as original
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
original standard
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
same as original
ความต้านทาน-RDS (On)
original standard
แรงดันไฟฟ้า
same as original
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
original standard
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
same as original
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
original standard
Current-Valley (IV)
same as original
Current-Peak
original standard
การประยุกต์ใช้
general purpose
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN - Darlington
Number of Elements per Chip
1
Collector- Base Voltage VCBO:
90 V
Emitter- Base Voltage VEBO:
5 V
REACH Status
REACH Unaffected