สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
แพคเกจ/กรณี
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตเดิม, ODM, Agency, ตัวแทนจำหน่าย
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
品名
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
8V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
4.1A (Ta)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
90mOhm @ 2A, 1.8V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
900mV @ 0..25mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
140pF @ 25V
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
4.5V
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Shipping
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\More
Media Available:
Please contact us