วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม
E-ERA IGBT ทรานซิสเตอร์ G60N100BNTD G60N100 60A 1000V โมดูลทรานซิสเตอร์ TO-3PL mjl 21193ดั้งเดิม
ยังไม่มีรีวิว
คุณสมบัติที่สำคัญ
ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก
หมายเลขรุ่น
G60N100BNTD
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
ALL BRAND
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
คุณลักษณะอื่น ๆ
ประเภทการติดตั้ง
Standard
ลักษณะ
Transistors
สถานที่กำเนิด
Florida, United States
แพคเกจ/กรณี
G60N100BNTD
ชนิด
Other
Product Name
transistors g60n100
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์
Reel or Tube
ท่าเรือ
Shenzhen
หน่วยขาย:
รายการเดียว
ขนาดบรรจุภัณฑ์เดียว:
1X1X1 ซม.
น้ำหนักเบื้องต้นเดียว:
0.007 กก.
ความสามารถในการจัดหา
ความสามารถในการจัดหา
10000 ชิ้น / ชิ้น per Day
ระยะเวลารอสินค้า
| จำนวน (ชิ้น ) | 1 - 50000 | > 50000 |
| ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน) | 3 | รอการต่อรอง |
ยังคงอยู่ระหว่างการตัดสินใจเหรอ? สั่งตัวอย่างก่อนสิ! สั่งซื้อตัวอย่าง
ตัวอย่าง
จำนวนสั่งซื้อสูงสุด : 10 ชิ้น
ราคาตัวอย่างสินค้า :
CN¥7.25/ชิ้น
การปรับตามความต้องการ
Graphic customization
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 50000
Customized packaging
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 50000
Customized logo
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 50000
สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
100 - 999 ชิ้น
CN¥4.50
>= 1000 ชิ้น
CN¥4.14
จำนวน
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้รายการทั้งหมด (0 รูปแบบ 0 รายการ)
$0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
$0.00
ยอดรวมย่อย
$0.00
ยังคงอยู่ระหว่างการตัดสินใจเหรอ? สั่งตัวอย่างก่อนสิ! สั่งซื้อตัวอย่าง
ตัวอย่าง
จำนวนสั่งซื้อสูงสุด : 10 ชิ้น
ราคาตัวอย่างสินค้า :
CN¥7.25/ชิ้น
สิทธิประโยชน์ของสมาชิก
รับคูปอง US $80 ทุกเดือนดูเพิ่มเติม
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
การชำระเงินที่ปลอดภัย![]()
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นโยบายการคืนเงิน![]()
ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย