สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
-
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
--
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
-
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
-
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
-
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
-
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
-
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
-
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
-
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
-
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
-
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
-
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
-
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
--
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
-
Transistor Polarity
P-Channel
Number of Channels
1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance
65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Operating Temperature
- 55 C ~ + 150 C