สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
ใบสมัคร
special transistor
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
-7
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
-60
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
-0.5 V
Current-Collector CUTOFF (MAX)
-10 μA
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
100
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
80 MHz
อุณหภูมิในการทำงาน
-55~150 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole