ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์ Ikw75n60t
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
,
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
,
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
,
Current-Collector CUTOFF (MAX)
,
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
,
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
,
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
,
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
,
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
,
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
/
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
/
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
,
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
,
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
/
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
,
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
/
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
,
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
,
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
/
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
,
แรงดันไฟฟ้า-CEB (MAX)
600V
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
80A
Current - Collector Pulsed (ICM)
120A
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE, IC
2.5V @ 15V, 75A
TD (ON/OFF) @ 25 °C
33ns/330ns
ทดสอบสภาพ
400V, 75A, 5 OHM, 15V
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 °C ~ 175 °C (TJ)