วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม
คุณภาพสูง G60N100 IGBT 1000V 60A 180W TO264 FGL60N100BNTD G60N100BNTD
ยังไม่มีรีวิว
คุณสมบัติที่สำคัญ
ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก
หมายเลขรุ่น
FGL60N100BNTD
ชนิด
RF ทรานซิสเตอร์
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
คุณลักษณะอื่น ๆ
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู
ลักษณะ
ทรานซิสเตอร์
สถานที่กำเนิด
California, United States
แพคเกจ/กรณี
เพื่อ-220-3
品名
TO264 IGBT 1000V 60A 180W
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
60A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
1000V
Power-MAX
180W
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
IGBT ประเภท
NPT and Trench
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
2.9V @ 15V, 60A
ประเภท
ทรานซิสเตอร์ไตรโอด
ชื่อผลิตภัณฑ์
FGL60N100BNTD
ประเภท IGBT
NPT และร่องลึก
แรงดันไฟฟ้า-collector Emitter breakdown (สูงสุด)
1000V
ปัจจุบัน-สะสม (IC) (สูงสุด)
60A
ปัจจุบัน-สะสม Pulsed (ICM)
120A
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE, IC
2.9V @ 15V 60A
พาวเวอร์-แมกซ์
180W
ประเภทอินพุต
มาตรฐาน
ประเภทติดตั้ง
ผ่านรู
ระยะเวลารอสินค้า
| จำนวน (ชิ้น ) | 1 - 10000 | > 10000 |
| ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน) | 5 | รอการต่อรอง |
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
100 - 499 ชิ้น
US$1.90
500 - 999 ชิ้น
US$1.60
>= 1000 ชิ้น
US$1.50
จำนวน
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้รายการทั้งหมด (0 รูปแบบ 0 รายการ)
$0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
$0.00
ยอดรวมย่อย
$0.00
สิทธิประโยชน์ของสมาชิก
คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
การชำระเงินที่ปลอดภัย![]()
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นโยบายการคืนเงิน![]()
ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย