วางเมาส์ไว้เหนือภาพเพื่อทำการซูม
IGBT 600V 16A 32W TO220FP 19N60 STGF19NC60KD
ยังไม่มีรีวิว
คุณสมบัติที่สำคัญ
ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก
หมายเลขรุ่น
STGF19NC60KD, STGF19NC60KD
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
Original Brand
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
คุณลักษณะอื่น ๆ
ลักษณะ
สเรนดาร์ด
สถานที่กำเนิด
Cyprus
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
16A
Power-MAX
32W
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
2.75V @ 15V 12A
แรงดันไฟฟ้า-ตัวเก็บประจุ Emitter Breakdown
600V
ปัจจุบัน-สะสม Pulsed (ICM)
75A
TD (เปิด/ปิด) @ 25 °C
30ns/105ns
เงื่อนไขการทดสอบ
480V, 12A, 10Ohm, 15V
หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน
STGF19
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์
ESD/สูญญากาศ/โฟม/กล่อง
ท่าเรือ
Hongkong/Shenzhen
ความสามารถในการจัดหา
ความสามารถในการจัดหา
10000 ชิ้น / ชิ้น per Week
ระยะเวลารอสินค้า
| จำนวน (ชิ้น ) | 1 - 100000 | > 100000 |
| ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน) | 2 | รอการต่อรอง |
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 ชิ้น
₪1.90 - ₪3.79จำนวน
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้รายการทั้งหมด (0 รูปแบบ 0 รายการ)
$0.00
ค่าจัดส่งทั้งหมด
$0.00
ยอดรวมย่อย
$0.00
สิทธิประโยชน์ของสมาชิก
คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
การชำระเงินที่ปลอดภัย![]()
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นโยบายการคืนเงิน & Easy Return![]()
ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์ พร้อมคืนสินค้าในพื้นที่ฟรีเมื่อมีข้อบกพร่อง
Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย