หมวดหมู่ทั้งหมด
สินค้าเด่นที่ผ่านการคัดสรร
    Trade Assurance
    ศูนย์รวมผู้ซื้อ
    ศูนย์ช่วยเหลือ
      รับแอป
      กลายเป็นซัพพลายเออร์

      ทรานซิสเตอร์ IGBT 650V 100A พร้อมตัวบวกอุณหภูมิ SiC Schottky ไดโอดกั้นสําหรับอินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์

      ยังไม่มีรีวิว
      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN

      คุณสมบัติที่สำคัญ

      ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก

      หมายเลขรุ่น
      AKGHS100T65UFDC
      ชนิด
      ทรานซิสเตอร์
      ชื่อแบรนด์
      AIKO
      ประเภทแพคเกจ
      ผ่านรู

      คุณลักษณะอื่น ๆ

      ประเภทการติดตั้ง
      ผ่านรู
      ลักษณะ
      อิมพีแดนซ์อินพุตสูง, VCE (นั่ง) = 1.58V (ค่าประเภท) @Ic = 100A, 650V100A ทรานซิสเตอร์ IGBT สนามเพลาะ Fieldstop, การสลับความเร็วสูงและการสูญเสียพลังงานต่ำ
      สถานที่กำเนิด
      Zhejiang, China
      แพคเกจ/กรณี
      เพื่อ-247
      ชนิด
      ทรานซิสเตอร์ IGBT
      อุณหภูมิในการทำงาน
      -50 ℃ ~ + 175 ℃ (TJ)
      Series
      IGBT
      ใบสมัคร
      เครื่องเชื่อม PFC ups และอินเวอร์เตอร์ PV
      ประเภทผู้ผลิต
      ผู้ผลิตเดิม, ODM
      Media ม
      เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
      品名
      AKGHS100T65UFDC 650V100A ทรานซิสเตอร์ IGBT
      Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
      100A (Tc = 100 ℃), 180A (Tc = 25 ℃)
      แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
      650V
      VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
      1.90V
      Current-Collector CUTOFF (MAX)
      100A
      อุณหภูมิในการทำงาน
      -50 °C ~ 175 °C (TJ)
      ประเภทการติดตั้ง
      Through Hole
      VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
      6.0V
      การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
      100A
      แรงดันไฟฟ้า
      650V
      IGBT ประเภท
      ร่อง Fieldstop
      VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
      1.58V
      ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
      3680pF
      ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
      100A
      แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
      650V
      แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
      ± 20V
      Current-Valley (IV)
      100A
      Current-Peak
      180A
      การประยุกต์ใช้
      เครื่องเชื่อม PFC UPS อินเวอร์เตอร์พลังงานแสงอาทิตย์และอินเวอร์เตอร์ PV
      ประเภททรานซิสเตอร์
      ทรานซิสเตอร์ IGBT
      วีซีเอส
      650V
      ตัวสะสมกระแส1
      100A (Tc = 100 ℃)
      ตัวสะสมกระแส2
      180A (Tc = 25 ℃)
      ตัวสะสมพัลซิ่ง
      300A
      ไดโอดกระแสไปข้างหน้าอย่างต่อเนื่อง
      30A
      กระแสกระชากสูงสุดที่ไม่ซ้ำ
      150A
      VCE (นั่ง)
      1.58V (ค่าพิมพ์) IC = 100A
      ปิดล่าช้าเวลา
      135.6ns (typ.)
      ค่าใช้จ่ายทั้งหมด
      40nC
      Vge (TH) Max
      6.0V
      แสดงเพิ่มเติม

      ระยะเวลารอสินค้า

      จำนวน (ชิ้น )1 - 5000050001 - 100000000 > 100000000
      ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)2030รอการต่อรอง

      การปรับตามความต้องการ

      Customized logo
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 100000
      Customized packaging
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 100000
      Graphic customization
      ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 100000
      สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์

      คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

      50000 - 99999999 ชิ้น
      US$0.28
      >= 100000000 ชิ้น
      US$0.09

      รูปแบบ

      ตัวเลือกทั้งหมด :
      เลือกเลย

      การจัดส่ง

      โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

      สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

      คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม

      ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

      การชำระเงินที่ปลอดภัย

      ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

      นโยบายการคืนเงิน

      ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์
      Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย