IRFH7004TRPBF พลังงาน MOSFET (โลหะออกไซด์) ทรานซิสเตอร์ FETs เดี่ยว FETs MOSFET 1 N-Channel เดี่ยว Quad ท่อระบายน้ําสามแหล่ง HEXFET
ยังไม่มีรีวิว
คุณสมบัติที่สำคัญ
ข้อกำหนดอุตสาหกรรมหลัก
หมายเลขรุ่น
IRFH7004TRPBF
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
original brand
ประเภทแพคเกจ
Surface Mount
คุณลักษณะอื่น ๆ
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ลักษณะ
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
สถานที่กำเนิด
original
แพคเกจ/กรณี
8-VQFN Exposed Pad
ชนิด
N-Channel
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
Series
HEXFET StrongIRFET
D/c
newest
ใบสมัคร
วัตถุประสงค์ทั่วไป
ประเภทผู้ผลิต
ตัวแทนจำหน่าย
อ้างอิง
IRFH7004TRPBFCT
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย, EDA/CAD
品名
Transistors
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
same as original
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
original standard
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
same as original
Current-Collector CUTOFF (MAX)
original standard
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
same as original
Power-MAX
156W (Tc)
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
original standard
อุณหภูมิในการทำงาน
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
same as original
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
original standard
FET ประเภท
N-Channel
FET คุณลักษณะ
same as original
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
40 V
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
1.4mOhm @ 100A 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
3.9V @ 150uA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
194 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6419 pF @ 25 V
ความถี่
same as original
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
original standard
รูปเสียงรบกวน
same as original
Power-เอาต์พุต
156W (Tc)
แรงดันไฟฟ้า
same as original
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
6V, 10V
VGS (MAX)
±20V
IGBT ประเภท
original standard
การกำหนดค่า
Single Quad Drain Triple Source
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
original standard
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
same as original
อินพุต
original standard
NTC Thermistor
same as original
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
original standard
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
same as original
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
original standard
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
same as original
ความต้านทาน-RDS (On)
1.1 mOhms
แรงดันไฟฟ้า
same as original
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
original standard
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
same as original
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
original standard
Current-Valley (IV)
same as original
Current-Peak
original standard
การประยุกต์ใช้
general purpose
ประเภททรานซิสเตอร์
N-Channel
SPQ
4k/reel
Unit Weight:
0.004308 oz
Pin Count
8
PCB changed
8
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Rise Time:
51 ns
Fall Time:
49 ns
Forward Transconductance - Min:
117 S
Typical Turn-On Delay Time:
15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:
73 ns
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
หน่วยขาย:
รายการเดียว
ขนาดบรรจุภัณฑ์เดียว:
19X19X10 ซม.
น้ำหนักเบื้องต้นเดียว:
1.000 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
| จำนวน (ชิ้น ) | 1 - 4000 | > 4000 |
| ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน) | 15 | รอการต่อรอง |
ยังคงอยู่ระหว่างการตัดสินใจเหรอ? สั่งตัวอย่างก่อนสิ! สั่งซื้อตัวอย่าง
ตัวอย่าง
จำนวนสั่งซื้อสูงสุด : 1 ชิ้น
ราคาตัวอย่างสินค้า :
US$0.62/ชิ้น
การปรับตามความต้องการ
Customized packaging
ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 4000
สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
>= 4000 ชิ้น
US$0.62
ยังคงอยู่ระหว่างการตัดสินใจเหรอ? สั่งตัวอย่างก่อนสิ! สั่งซื้อตัวอย่าง
ตัวอย่าง
จำนวนสั่งซื้อสูงสุด : 1 ชิ้น
ราคาตัวอย่างสินค้า :
US$0.62/ชิ้น
สิทธิประโยชน์ของสมาชิก
คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้
Delivery via
Expect your order to be delivered before scheduled dates or receive a 10% delay compensation
การชำระเงินที่ปลอดภัย![]()
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
นโยบายการคืนเงิน & Easy Return![]()
ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์ พร้อมคืนสินค้าในพื้นที่ฟรีเมื่อมีข้อบกพร่อง
Alibaba.com ปกป้องคำสั่งซื้อทั้งหมดของคุณที่สั่งซื้อและชำระเงินบนแพลตฟอร์มด้วย