ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ลักษณะ
5mm NPN Phototransistor
สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
แพคเกจ/กรณี
in line package
อุณหภูมิในการทำงาน
-20~+85℃
Series
5mm Phototransistor
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
20mA
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
6.5V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
0.2V(Ic=2mA, IB=100μA)
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
1000-1800(VCE=5V, IC=2mA)
อุณหภูมิในการทำงาน
-20~+85℃
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ประเภททรานซิสเตอร์
PHOTOTRANSISTOR
Angle
15° / 45° / 60° / 90°/120°
Product name
F5 Phototransistor
Certification
ROHS/ISO9001
Application
smoke transducer
Package Type
Package in anti-static bags and pack in carton.