ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
ลักษณะ
NPN 0.1 A 50 V 0.5 0.625 W
แพคเกจ/กรณี
TO-92-3 TO-92-3 LF
ใบสมัคร
วัตถุประสงค์ทั่วไป
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
品名
Bipolar Power Transistor
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
0.1 A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
45 v
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
150 300 MHZ
อุณหภูมิในการทำงาน
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
การประยุกต์ใช้
General Purpose
Description
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Categories
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
RoHS Status
ROHS3 Compliant