ลักษณะ
Power Amplifier and Switching transistors
สถานที่กำเนิด
Shenzhen, China
ใบสมัคร
Power Amplifier and Switching transistors
品名
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
100mA
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
50V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
300mV@100mA,10mA
Current-Collector CUTOFF (MAX)
100nA
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
300@1mA,6V
อุณหภูมิในการทำงาน
-55℃~150℃
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
Quality
100% Original 100% Brand