หน้าโหมดหน่วยความจำแฟลชที่มี110นาโนเมตรเทคโนโลยีกระบวนการ MirrorBit วงจรรวม IC S29GL032N90TFI040

ยังไม่มีรีวิว

Shenzhen Allnewsemi Electronic Co., Ltd.11 yrs

คุณสมบัติที่สำคัญ

คุณลักษณะอื่น ๆ

สถานที่กำเนิด

Original

ชื่อแบรนด์

Original

หมายเลขรุ่น

S29GL032N90TFI040

ประเภทการติดตั้ง

มาตรฐาน

ลักษณะ

มาตรฐาน

ใบสมัคร

มาตรฐาน

ชนิด

มาตรฐาน

Series

มาตรฐาน

คุณสมบัติ

มาตรฐาน

การผลิตวันที่รหัส

มาตรฐาน

ส่วน #

S29GL032N90TFI040

ประเภท

วงจรรวม

มาตรฐาน

อธิบาย

ใหม่

บรรจุภัณฑ์อุปกรณ์ซัพพลายเออร์

48-TSOP

แสดงเพิ่มเติม

ระยะเวลารอสินค้า

จำนวน (ชิ้น )	1 - 10000	> 10000
ระยะเวลาโดยประมาณ (วัน)	7	รอการต่อรอง

การปรับตามความต้องการ

Customized packaging

ขั้นต่ำ คำสั่งซื้อ: 1000

สำหรับรายละเอียดการปรับแต่งอื่น ๆ ข้อความถึงซัพพลายเออร์

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

>= 10 ชิ้น

₫15,273

รูปแบบ

ตัวเลือกทั้งหมด :

เลือกเลย

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

สิทธิประโยชน์ของสมาชิก

คืนเงินเร็วดูเพิ่มเติม

ความคุ้มครองสำหรับผลิตภัณฑ์นี้

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

นโยบายการคืนเงิน

ขอรับเงินคืนหากคำสั่งซื้อของคุณไม่ได้จัดส่ง สูญหาย หรือสินค้าที่มาถึงมีปัญหาที่ตัวผลิตภัณฑ์