สถานที่กำเนิด
Guangdong, China
ใบสมัคร
ultrasonic transistor triode
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า, ภาพถ่าย
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
20 A
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
800 V
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
5.0 V
Current-Collector CUTOFF (MAX)
10 μA
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
8
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
30 KMZ
อุณหภูมิในการทำงาน
-55~150 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole